RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
48
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2238
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8A
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link