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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
48
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.1
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
32
读取速度,GB/s
8.9
11.1
写入速度,GB/s
5.9
6.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2238
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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