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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
13.4
15.8
写入速度,GB/s
7.8
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
2991
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
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