RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
84
左右 61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
10.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
84
读取速度,GB/s
17.8
12.8
写入速度,GB/s
12.5
10.5
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
1932
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link