RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Porównaj
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
47
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2128
3271
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link