RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
58
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2922
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link