RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
58
Por volta de -152% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
13.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2922
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GNT 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link