RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Porównaj
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2187
3835
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP536726-H41-ELCUW 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link