RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
62
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
58
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2504
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link