RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
49
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
49
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2534
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link