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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
58
62
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
58
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2504
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
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Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
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