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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
総合得点
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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考慮すべき理由
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
58
62
周辺 -7% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
7.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
5.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
58
読み出し速度、GB/s
7.4
16.0
書き込み速度、GB/秒
5.9
12.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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