RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Porównaj
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2063
3310
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link