RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
75
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,036.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
65
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
1836
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link