RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
75
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
3707
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link