RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
75
77
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.5
2,036.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
77
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
1440
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link