RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Porównaj
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2324
2821
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology ST51264BA1339.16FM 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link