RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2324
3866
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology ST51264BA1339.16FM 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link