RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-037.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Porównaj
Kingston 99U5469-037.A00LF 4GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5469-037.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5469-037.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5469-037.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
2544
Kingston 99U5469-037.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link