RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Porównaj
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
42
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2095
2769
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link