RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
44
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
44
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2191
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link