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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
44
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
44
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2191
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
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