RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
51
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2327
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link