RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
54
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
38
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3246
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link