RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
63
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
5.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
42
63
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
8.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
1740
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link