RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
81
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
81
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1634
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link