RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Porównaj
Kingston KP223C-ELD 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Wynik ogólny
Kingston KP223C-ELD 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KP223C-ELD 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
57
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
57
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2137
2377
Kingston KP223C-ELD 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link