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Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Comparar
Kingston KP223C-ELD 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Pontuação geral
Kingston KP223C-ELD 2GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KP223C-ELD 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
57
Por volta de 53% menor latência
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
57
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
10.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2137
2377
Kingston KP223C-ELD 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
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