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Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
比较
Kingston KP223C-ELD 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
总分
Kingston KP223C-ELD 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KP223C-ELD 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
57
左右 53% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
57
读取速度,GB/s
13.4
19.1
写入速度,GB/s
8.8
10.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2137
2377
Kingston KP223C-ELD 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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