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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
33
读取速度,GB/s
15.0
16.5
写入速度,GB/s
10.3
12.7
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3077
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
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