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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
14.2
18.0
写入速度,GB/s
10.0
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
3429
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-002.A01G 16GB
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Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
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