RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
99
左右 51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
99
读取速度,GB/s
10.9
14.4
写入速度,GB/s
8.7
6.4
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
1386
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB RAM的比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link