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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
16.1
18.2
写入速度,GB/s
10.1
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3143
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
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