RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
81
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
81
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1634
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link