RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Porównaj
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
41
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2039
4095
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link