RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
60
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
60
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2123
2359
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link