RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
41
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3726
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link