RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Porównaj
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1995
3305
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link