RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1995
2256
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Kingston 99U5471-001.A01LF 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link