RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link