RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
38
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
38
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
12.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
9.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link