RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link