RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link