RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
20
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
20
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3217
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link