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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
20
Por volta de 15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
19.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
15.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
17
20
Velocidade de leitura, GB/s
22.8
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
15.4
15.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3391
3217
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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