RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1995
2068
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link