RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
85
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
85
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1838
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link