RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
85
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
85
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1838
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston ACR16D3LU1KFG/4G 4GB
Kingston 99U5402-034.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link