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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
85
左右 69% 更低的延时
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
85
读取速度,GB/s
12.8
13.2
写入速度,GB/s
9.0
9.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1838
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB RAM的比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
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