RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
27
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2032
3954
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link