RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Porównaj
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
71
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
71
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1954
1979
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link