RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
49
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2104
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link